El rendimiento mejora un 18% con el mismo consumo gracias al nodo Intel 3.

El nodo Intel 3 mejora un 18% el rendimiento con el mismo consumo

El avance tecnológico en la industria de los semiconductores está en constante movimiento y en el centro de este progreso se encuentra Intel, el gigante del chip. Recientemente, han anunciado un gran avance con la llegada del nodo Intel 3, una tecnología de última generación que representa un salto significativo frente a su predecesor, el nodo Intel 4. Esta innovación es crítica en la hoja de ruta de Intel para desarrollar cinco nodos en solo cuatro años.

El nodo Intel 3 marca el punto medio en los lanzamientos de Intel, que comenzó con el nodo Intel 7. En el horizonte, tenemos dos nodos más que esperar: el Intel 20A e Intel 18A. Con el nodo Intel 20A, veremos cambios significativos con la introducción de los transistores RibbonFET y el sistema de alimentación PowerVia.

La compañía con sede en Santa Clara ha confirmado que utilizarán el nodo de 3 nm de TSMC (N3B) para su próxima serie de procesadores, Intel Lunar Lake. Sin embargo, por el momento, el nodo Intel 3 se utilizará exclusivamente en los procesadores Intel Xeon 6, que fueron lanzados parcialmente durante la celebración del Computex de este año.

En un reciente artículo en su blog oficial, Intel compartió detalles sobre los avances más destacados con el nodo Intel 3. En comparación con el nodo Intel 4, hay una mejora del rendimiento por vatio del 18%. Esto significa que el nodo Intel 3 puede ofrecer un 18% más de rendimiento con el mismo consumo que un procesador basado en el nodo Intel 4.

El nodo Intel 3 mantiene el soporte de las librerías de celdas de alto rendimiento de 240 nm e introduce soporte para librerías de celdas de alta densidad de 210 nm. Otras características notables incluyen soporte para Through-Si Via, 1,2 V nativo, soporte para Deep N-well, y paso TSV (a través del silicio) 3-E y 9um, lo que permite mejorar la densidad del apilado en 3D.

El nodo Intel 3 está optimizado para la computación de alto rendimiento y puede operar con voltajes tanto inferiores a 0,65 voltios como superiores a 1,3 voltios. El nodo Intel 3 también mejora la densidad en un 10% frente a la generación anterior, y admite un conjunto flexible de interconexiones metálicas.

Este avance es notable, especialmente teniendo en cuenta que se logró en solo un año después del lanzamiento del nodo Intel 4. Esta innovación ha impulsado a Intel a la vanguardia de la fabricación de semiconductores, posicionándola firmemente en la cima.

Por ahora, no hay evidencia de que este nodo se usará en otras familias de procesadores más allá de los Intel Xeon 6. Sin embargo, todas las posibilidades están abiertas en este sentido. Al final, todo dependerá de la tasa de éxito por oblea que Intel esté obteniendo, es decir, la cantidad de chips funcionales por oblea, y si le resulta rentable o no utilizar este nodo para la fabricación de otros procesadores.

Este es un momento emocionante en la industria de los semiconductores, y estamos ansiosos por ver qué otros avances traerá el futuro.

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